“미래를 예측하는 가장 좋은 방법은 그것을 발명하는 것입니다”- 1971 년 PARC 회의에서 Alan Kay (1971)

연구 관심사

저의 특정 연구 관심사는 7NM 기술 노드 및 그 이상을위한 슬롯 커뮤니티 제재 공정 및 재료를 포함한 트랜지스터를 포함한 전자 제품에 대한 문제를 해결하는 데 중점을 두었습니다. 진행중인 연구 활동이 계속 발전하고 있지만 내 역사적 연구 프로그램은 세 가지 초점 영역, 즉로 나눌 수 있습니다.

1. 프로세스 및 재료를 포함한 최신 과제 논리 장치 및 메모리 장치에 대한 전자 재료 연구
2. 슬롯 커뮤니티 스케일 2D 재료, 슬롯 커뮤니티 와이어 및 QDS가있는 새로운 전자 장치 응용 프로그램
3. Gan Electronics

이 연구의 요약이 다음과 같습니다.

고급 장치 애플리케이션을위한 재료 통합 및 슬롯 커뮤니티 제재

응용 재료 및 Sun Microsystems에서 상당한 양의 미세 가축 및 슬롯 커뮤니티 제조 경험을 얻었습니다. 그 경험을 얻었으므로 새로운 기술과 내 재료 및 장치 배경을 모두 활용하여 여러 고급 장치 응용 프로그램에 기여할 수있었습니다.

슬롯 커뮤니티 스케일 2D 재료, 슬롯 커뮤니티 와이어 및 QDS가있는 새로운 전자 장치 응용 프로그램

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Gan Electronics

소비자 전자 제품 및 많은 청정 에너지 기술에 적분 한 전력 전자 장치는 슬롯 커뮤니티 자동차 및 산업용 모터에서 태양 전지판과 풍력 터빈을 슬롯 커뮤니티 그리드에 연결하는 랩톱 전원 어댑터 및 인버터에 이르기까지 모든 것을 찾을 수 있습니다. 거의 50 년 동안 실리콘 칩은 전력 전자 장치의 기초였습니다.

파킨슨 병을위한 딥 러닝 및 웨어러블

IoT 센서 네트워크 우리는 또한 진전, 보행 및 낙상과 같은 PD 운동 증상과 관련된 정량적 편견없는 결과를 생성하거나 PD 운동 프로그램의 맥락에서 신체 활동 수준을 결정하기 위해 기술 사용을 소개합니다. 이를 위해, 우리는 센서, 슬롯 커뮤니티 기술, 모바일 장치, 컴퓨터 과학 전문가 및 PD 증상을 이해하는 전문가 (운동 학자 및 PD 전문가)를 갖춘 엔지니어를 포함하는 여러 분야의 학술 연구원 그룹을 조립했습니다.

깊은 뇌 자극을위한 신호 공정 및 전극 설계

파킨슨 병 프로젝트의 깊은 뇌 자극 (DBS)은 동일한 장치 내에서 뇌 활동을 자극하고 기록 할 수있는 새로운 전극의 발달을 통해 DBS를 개선하는 방법을 연구하고 있습니다. 현재, 절차의 시간을 길게하는 기록 및 자극은 별도로 수행되어야하며 전극 위치에서 불일치로 이어질 수 있습니다.

데이터 획득을 통한 초음파 성능 발전 : 의사를위한 의사를위한 포괄적 인 지침 만들기

경험이없는 의사는 오늘날 초음파 프로브를 자신의 이점으로 조작하는 방법을 자동으로 알지 못합니다. 초음파 장치를 올바르게 사용하는 방법을 배우기 전에 다른 의사의 지침과 도움이 필요합니다.

공중 화학 물질 및 생물학적 제제의 민감한 탐지 및 식별을위한 센서 개발

휴대용 폭발성 탐지기, 화학 식별자 및 개인 방사선 탐지기 (PRD)는 이제 상업적으로 이용 가능하며 환경, 법의학 및 재료 샘플링을 위해 현장에서 일상적으로 사용할 수 있습니다. 이 장치는 질량 분석법, 패치 화학 반응, 슬롯 커뮤니티 화학적 감지, 이온 변동 분광법, 레이저 유발 형광, 음향 파 화학 감지 및 광섬유 기반 광학 감지와 같은 잘 알려진 기술을 기반으로합니다.

선정 된 간행물

저널 기사 (제출) :

1. 원자 수소에 의해 매개 된 나선 탄소의 SP2-SP3- 하이브리드의 아크-다중 방향 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브의 양자화 된 특성,Science Advance(제출) (2022).
2. 영장류 측면 전두엽 피질에서 다중 연관 기억을 인코딩하기위한 신경 부분 공간,뉴런(제출) (2022).
3. 2 차원 BAS/GEC van der Waals 이종 구조 : 물 분할 및 수소 생산을위한 널리 조정 가능한 광촉매,65180_65222(제출) (2022).
4. Landau 규정에 의해 나타난 단일 벽 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브의 방사형 모드 : 저 및 중간 주파수 라만 신호의 재 해석,(자연) 과학 보고서(개정하에) (2022).
5. 금속 표면의 2 차원 육각 붕소 질화물 (H-BN)의 성장 메커니즘 : 이론적 관점,오늘 응용 재료(제출) (2022).
6. 녹색 경로를 통한 저 대역 갭 다공성 지르코니아 슬롯 커뮤니티 입자의 합성 : 메커니즘, 이론적 정당화, 광 촉매 및 항 박테리아 활동,슬롯 커뮤니티 익스프레스(제출) (2022).
7. 음성 캡시턴스 필드 효과 트랜지스터 : 기원과 도전 뒤에, 오늘날 물리학 (제출) (2022)..
8. Dielectophoresis를 사용한 금속 CNT 내성 필드 효과 트랜지스터,IEEE Open Journal of Nanotechnology(제출) (2022).
9. 메모리 처리를위한 CNFET SRAM 비트 셀,회로 및 시스템에 대한 IEEE 트랜잭션s (제출) (2022).
10. e- 밴드 CMOS 통합 Yagi 안테나와 힐버트 곡선 모양의 인공 자기 도체 (제출) (2020)..
11. 단일 벽 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브를 포함한 기하학적 그래 핀 구조에서 관찰 된 Landau Raman 조절, Journal Annalen der Physik(개정하에) (2019).
12. 그래 핀 기반 화학 및 생물학적 센서, 2D 재료 (제출) (2019).
13. 2D 재료를 기반으로 한 차세대 환경 모니터를위한 휴대용 및 무선 신호 변환기.Dallaire N., Zhang Y., Deng X., Andrzejewski L., Guay J.-M., Rautela R., Scarfe S., 슬롯 커뮤니티 J., Ménard J.-M., Luican-Mayer A., ​​검토 아래, Preprint.

저널 기사 (게시) :

1. 밀도로 연결된 깊은 깊은 반복 신경 네트워크와 RNA 시퀀스에 기초한 파킨슨 병 진행의 예측 모델링, Siraj Ahmed, Majid Komeili 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티(자연) 과학 보고서, 12, 21469 (2022) (영향 계수 : 4.996).
2. 2 차원 SIC/ALN 기반 타입 -II van der Waals Heterobilayer : 전체 물 불가능한 광촉매n, Naim Ferdous, Md. Sherajul Islam, Jeshurun ​​Biney, Catherine Stampfl & Jeongwon 슬롯 커뮤니티(자연) 과학 보고서,12, 20106 (2022)(영향 계수 : 4.996) .
3. CVD 성장 MOS의 원자 반응 메커니즘₂MOO를 통해₃그리고 H₂S 전구, Abdullah Arafat, Md. Sherajul Islam, Naim Ferdous, A. S. M. Jannatul Islam, Md. Hossain Sarkar, Catherine Stampfl & Jeongwon 슬롯 커뮤니티,(자연) 과학 보고서, 12, 16085 (2022) (영향 계수 : 4.996).
4. 지르코니아 기반 슬롯 커뮤니티 물질 : 최근 합성 및 응용 분야의 발전, Nisha Kumari, Shweta Sareen, Meenakshi Verma, Shelja Sharma, Ajay Sharma, Harvinder Singh Sohal, S. K. Mehta, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Vishal Mutreja,Nanoscale Advances, 4, 4210-4236(2022) (영향 계수 : 5.598).
5. 변형 효과를 통해 단층 BX (x = P 및 AS)의 전자, 포논 및 광학적 특성을 조정합니다., Rasidul Islam, Sherajul Islam, Rayid Hasan Mojumder, Zarif Khan, Hasan Molla, A.S.M. Jannatul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,오늘날 재료 오늘 커뮤니케이션, 104227 (2022) (영향 계수 : 3.383).
6. 붕소 질화물 슬롯 커뮤니티 튜브에서 광학 포논 모드의 국소화 : 10B 동위 원소 및 공석의 혼합 효과, Md. Sherajul Islam, Ashraful Hossain Howlader, Rongkun Zheng, Catherine Stampfl, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Akihiro Hashimoto,ACS 오메가, 7, 30, 26591–26600 (2022) (영향 계수 : 4.132)..
7. 그룹 III- 질화물 이중층의 Tribo-PiezoElectricity : 밀도 기능 이론 조사, Md. Yasir Zamil, Md. Sherajul Islam, Catherine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,ACS 응용 재료 및 인터페이스, 14, 18, 20856–20865 (2022) (충격 계수 : 8.33).
8. 산화 질소의 검출을위한 탄소 점의 집계 유발 담금질, Vishal Mutreja, Ajay Kumar, Shweta Sareen, Khushboo Pathania, Harshit Sandhu, Ramesh Kataria, Sandip V. Pawar, Surinder K. Mehta, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,ChemistrySelect, 7 (21), E202200448 (2022), (영향 계수 : 2.109)..
9. 파킨슨 병에 대한 깊은 뇌 자극 : 검토와 미래의 전망, Anahita Malvea, Farbod Babaei, Chadwick Boulay, Adam Sachs, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,생물 의학 엔지니어링 편지12, 303–316, Springer Nature (2022) doi : 10.1007/s13534-022-00226-y (영향 계수 : 5.25)..
10. 단일 층 그룹에서의 인장 기계적 거동 및 골절 메커니즘 NIII NITRIDES XN (X = GA, IN) : 온도 및 포인트 공석의 영향, A. S. M. Jannatul Islam, Md. Sherajul Islam, Md. Sayed Hasan, Md. Shahadat Akbar 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,ACS 오메가, 7, 17, 14678–14689 (2022) (영향 계수 : 4.132)..
11. 생체은 슬롯 커뮤니티 촉매의 합성 및 항균 및 유기 오염 물질 감소 능력, Muhammad Riaz, Uzma Sharafat, Nafeesa Zahid, Muhammad Ismail, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,* Bashir Ahmad, Neelum Rashid, Muhammad Fahim, Muhammad Imran 및 Aisha Tabassum,ACS 오메가7, 14723-14734 (2022) (영향 계수 : 4.132).
12. 2 차원 육각 붕소 질화 붕소의 CVD 성장에 대한 기질 구조의 효과 (H-BN), Md. Md. Hossain Sarkar, Md. Sherajul Islam, Abdullah Arafat, A. S. M. Jannatul Islam, Naim Ferdous, Md. Tawabur Rahman, Minhaz Uddin Sohag, Md. Al Imran Fahim, Caterine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,j. 물리2022, 126, 14, 6373–6384 (2022) (영향 요인 : 2.781).
13. Nanowire Gate-Around 네거티브 커패시턴스 Gaas/Inn Tunnel Fet의 수치 조사, Abdullah Al Mamun Mazumder, Kamal Hosen, Md. Sherajul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,IEEE ACCESS,10, 30323 (2022) doi : 10.1109/access.2022.3159809 (영향 계수 : 3.361)..
14. GE의 위상 변화 재료를 사용하여 회절 격자를위한 레이저-유도 패터닝₂SB₂TE₅(GST) X- 선 광학의 공간 광 변조기 : 개념 증명, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Peter Zalden, Edwin NG, Scott Johnston, Scott W. Fong, Chieh Chang, Christopher J. Tassone, Douglas Van Campen, Walter Mok, Hideo Mabuchi, H.-S. Philip Wong, Zhi-Xun Shen, Aaron M. Lindenberg 및 Anne Sakdinawat,opt. 마트.12, 1408-1416 (2022) (영향 계수 : 3.442).
15. 온도 및 중간층 커플 링 유도 된 열 수송 그래 핀/2D-Sic van der Waals 이종 구조, Md. Sherajul Islam, Imon Mia, A. S. M. Jannatul Islam, Catherine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티 (자연) 과학 보고서,12, 761 (2022) (영향 요인 : 4.996).
16. 공석으로 유발 된 열 수송 및 단일 층 벌집 beo의 인장 기계적 거동, A. S. M. Jannatul Islam, Md. Sherajul Islam, Nura Zannat Mim, Md. Shahadat Akbar, Md. Sayed Hasan, Md. Rasidul Islam, Catherine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,ACS 오메가7, 5, 4525–4537 (2022) (영향 계수 : 4.132).
17. 잠재적 인 물 오염 물질 검출을위한 탄소 점의 특성 및 적용에 대한 합성 방법 및 조건의 영향 : 검토, Hardeep Kaur, Shweta Sareen, Meenakshi Verma, Aseem Vashisht, Ajay Sharma, Ramesh Kataria, S. K. Mehta, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 & ​​Vishal Mutreja,분석 화학의 비판적 검토(2021) doi : 10.1080/10408347.2021.1977608 (영향 계수 : 4.568)..
18. 이중층 인듐 질화물 (Inn)에서의 강한 Tribo-Piezoelectric 효과 (Inn), Md. Sherajul Islam, Md. Yasir Zamil, Md. Rayid Hasan Mojumder, Catherine Stampfl & Jeongwon 슬롯 커뮤니티, (자연) 과학 보고서, 11 : 18669 (2021) (영향 계수 : 4.996).
19. 듀얼 소스 음성 커패시턴스 GASB/InsaassB/inas 이종 구조 기반 수직 구조 기반 수직 값 스윙 및 높은 온 오프 전류 비율, Sohag, Minhaz Uddin, MD Sherajul Islam, Kamal Hosen, Md al Imran Fahim, Hossain Sarkar 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,물리학 결과, 104796, (2021) (영향 계수 : 4.476).
20. 2 차원 GEC/SIC van der Waals에서 물 분할을위한 우수한 조정 가능한 광촉매 특성, 이슬람, MD, Abu Farzan Mitul, MD Mojumder, Rayid Hasan, A. S. M. Islam, Catherine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,(자연) 과학 보고서,1, 1-14 (2021) (영향 계수 : 4.996).
21. 단층 아연-설파이드의 기계적 거동에 대한 키랄성, 온도 및 공석 효과, A.S.M. Jannatul Islam, Md. Sayed Hasan, Md. Sherajul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,컴퓨터 재료 과학, 200, 110824 (2021) (영향 계수 : 3.3).
22. 게이트 all-Around HFO의 수치 분석₂/tio₂/hfo₂High-K 유전체 기반 WSE₂하위 임계 값 스윙 감소 및 높은 온/오프 비율이 감소한 NCFET, Kamal Hosen; Md. Sherajul 이슬람;IEEE ACCESS,9, 116254-116264 (2021) doi : 1109/access.2021.3105341 (영향 계수 : 3.367)..
23. 온도 및 결함 유도 된 단축 인장 기계적 행동 및 2 차원 실리콘 게르마이드 (2D-SIGE)의 골절 메커니즘, A. S. M. Jannatul Islam, Md. Shahadat Akbar, Md. Sherajul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,ACS 오메가, 2021, 6, 34, 21861–21871 (2021) (영향 계수 : 4.132)..
24. 단일 층 아연-설파이드의 열 수송 : 길이, 온도 및 공실 결함의 영향, Islam, A. J., Islam, M.S., Islam, M.R., Stampfl, C., & 슬롯 커뮤니티, J,Nanotechnology, 32,435703 (2021) (영향 계수 : 3.974).
25. Silicene/Zni₂반 데르 발스 이종 구조 : 조정 가능한 구조 및 전자 특성, Md. Sakib; 이슬람, 셰라 줄;Nanotechnology, 32 305707 (2021) (영향 계수 : 3.974).
26. 고성능의 수치 설계 WS2/METAL/WS2/그래 핀 이종 구조 기반 표면 플라즈몬 공명 센서, Biswajit Dey, Md. Sherajul Islam 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,물리학 결과, 23, 104021 (2021) (영향 계수 : 4.476).
27. 최적화 된 pH 및 온도 하에서 제조 된 단 분위기 녹색 AGNP의 탁월한 항균 및 세포 독성 효능, Riaz, Muhammad, Vishal Mutreja, Shweta Sareen, Bashir Ahmad, Muhammad Faheem, Nafeesa Zahid, Ghassan Jabbour 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티, (자연) 과학 보고서, 11, 2866 (2021) (영향 계수 : 4.379).
28. Germanene/2d-Alp van der Waals 이종 구조 : 조정 가능한 구조 및 전자 특성, Mojumder, MD Rayid Hasan, MD Sherajul Islam 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,AIP Advances,1, 015126 (2021) : 10.1063/5.0023448 (영향 계수 : 1.548)..
29. 그래 핀의 예외적 인 평면 및 계면 열전도도 그래 핀/2D-Sic van der Waals 이종 구조, Md. Sherajul Islam, Imon Mia, Shihab Ahammed, Catherine Stampfl 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티, (자연) 과학 보고서, 10, 22050 (2020) (영향 계수 : 4.996).
30. 녹색 합성은 슬롯 커뮤니티 입자의 항산화, 항균 및 염료 감소 능력의 특성 및 분석, Muhammad Riaz, Muhammad Ismail, Bashir Ahmad, Nafeesa Zahid, Ghassan Jabour, Muhammad Shafiq Khan, Vishal Mutreja, Shweta Sareen, Aftab Rafiq, Muhammad Fahem, Muhammad Musaddi Shah, M. K., M. K. Imran Bukhari와 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,녹색 가공 및 합성, 27; 9 (1) : 693-705. (2020) (영향 요인 : 2.83).
31. Germanene/2D-Sic van der Waals Heterobilayer : 구조적 특징 및 조정 가능한 전자 특성, MD Sherajul Islam, Md. Rayid Hasan Mojumder; Naim Ferdous;오늘날 재료 오늘 커뮤니케이션,101718 (2020) (영향 계수 : 2.678).
32. 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브 온 그라피 핀 이종 구조, Yu Zheng, Dongmeng Li, Zubair Ahmed, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Changjian Zhou 및 Cary Y. Yang,전자 ​​재료 저널,49, 6806–6816 (2020), (영향 계수 : 1.676).
33. Stanene의 측면 및 굴곡 열 수송/2D-Sic van der Waals 이종 구조, Shihab Ahammed, Md. Sherajul Islam, Imon Mia, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,Nanotechnology,31, 505702 (2020) (영향 계수 3.399).
34. 단일 벽 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브에서의 포논 국소화 : 13C 동위 원소와 공석의 결합 효과, Md. Sherajul Islam, Ashraful Hossain Howlader, Khalid N. Anindya, Rongkun Zhen, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Akihiro Hashimoto,Journal of Applied Physics, 128, 045108 (2020); (영향 요인 : 2.328).
35. 그래 핀 기반 환경 센서의 제한 요인에 대한 기계적 통찰력, Ranjana Rautela, Samantha Scarfe, Jean-Michel Guay, Petr Lazar, Martin Pykal, Saied Azimi, Cedric Grenapin, Justin Boddison-Chouinard, Alexei Halpin, Weixiang Wang, Lukasz Andrzewski, Ryan Plumadore, jeangwon Jean-Michel Menard, Michal Otyepka 및 Adina Luican-Mayer,ACS Appl. 마트., 12, 39764-39771 (2020), (영향 계수 : 8.33)..
36. 결합 된 효과¹³C ab 스택 이중층 그래 핀의 포논 특성에 대한 동위 원소 및 공석, Khalid N.Anindya, MD Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,탄소, 168, 22-31 (2020), (영향 계수 9.59),
37. 다른 기판의 Gan Hemts에 적용되는 새로운 소규모 신호 추출 방법, Mohamad Al Sabbagh, Mustapha C. E. Yagoub, Jeongwon 슬롯 커뮤니티,International Journal of RF 및 전자 레인지 컴퓨터 보조 엔지니어링, 30, e22291 (2020), (영향 계수 : 1.528).
38. 혼합 리드-틴 기반 ch에서 온도로 인한 국소 엑시톤 역학₃NH₃PB_1-Xsn_xI₃Perovskite 재료, Md. Sherajul Islam, Biswajit Dey, Md. Masud Rana, A.S.M. Jannatul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Takayuki Makino,AIP Advances,10, 065331 (2020), doi : 10.1063/5.0007087 (영향 계수 : 1.579)..
39. 2 차원 실리콘 카바이드에서 공석 유도 열 수송 : 역 비평 형 분자 역학 연구, A. S. M. Jannatul Islam, Sherajul Islam, Naim Ferdous, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Akihiro Hashimoto,물리 화학 화학 물리학, 22, 13592-13602 (2020), (영향 계수 : 3.567).
40. HFO₂/tio₂/hfo₂Tri-Layer High-K 게이트 산화물 기반 MOS₂가파른 서브 임계 값 스윙을 가진 음성 커패시턴스 FET, Sherajul Islam, Shahrukh Sadman, A. S. M. Jannatul Islam 및 Jeongwon 슬롯 커뮤니티,AIP Advances10, 035202 (2020) (영향 계수 : 1.579).
41. AB 스태킹 이중층 그래 핀 Nanoribbon의 포논 모드에 대한 층간 공석 효과, Khalid N.Anindy, MD Sherajul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Ashraful G.Bhuiyan, Akihiro Hashimoto,현재 응용 물리학, 20 (4), 572-581 (2020), (영향 계수 : 2.010).
42. 단일 계층 실리콘 카바이드 슬롯 커뮤니티 리본에서 열 수송에 대한 분자 역학 연구, Sherajul Islam, A. S. M. Jannatul Islam, Orin Mahamud, Arnab Saha, Naim Ferdous, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Akihiro Hashimoto,AIP Advances10, 01511 (2020), (영향 요인 1.579).
43. 2 차원 실리콘 카바이드의 이방성 기계적 거동 : 온도 및 공실 결함의 영향, Asm Jannatul Islam, Md. Sherajul Islam, Naim Ferdous, J 슬롯 커뮤니티, A G Bhuiyan, Akihiro Hashimoto,RES. 표현하다6 125073 (2019), (영향 계수 1.449).
44. 2 차원 실리콘 카바이드의 변칙적 온도 의존 열 전도도, A S M Jannatul Islam, MD Sherajul Islam, Naim Ferdous, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, A G Bhuiyan 및 Akihiro Hashimoto,Nanotechnology, 30, 445707 (2019), (영향 계수 3.399).
45. 그래 핀의 광범위하게 조정 가능한 전자 특성/2 차원 실리콘 카바이드 van der Waals 이종 구조, Asmaul Smitha Rashid, Md. Sherajul Islam, Naim Ferdous Khalid N. Anindya, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Akihiro Hashimoto,Journal of Computational Electronics, 18 (3), 836-845 (2019), (영향 계수 1.637).
46. 실리콘 프탈로시아닌 유기 박막 트랜지스터의 앰비 폴라이트 및 공기 안정성, Owen A. Melville, Trevor M. Grant, Brendan Mirka, Nicholas T. Boveau, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Benoît Lessard,고급전자 재료, 1900087 (2019), (영향 계수 6.593).
47. 광학적으로 패턴 화 된 GE의 전자 레인지 이미징 스캐닝₂S_b2TE₅, Scott Johnston, Edwin NG, Scott W. Fong, Walter Y. Mok, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Peter Zalden, Anne Sakdinawat, H.-S. Philip Wong, Hideo Mabuchi 및 Zhi-Xun Shen,Appl. 물리.114, 093106 (2019), (영향 요인 : 3.521).
48. Stanene 및 2 차원 실리콘 카르바이드 헤테로빌 레이어의 조정 가능한 전자 특성 : 첫 번째 원칙 조사, Naim Ferdous, Md. Sherajul Islam, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Hashimoto,AIP Advances9, 025120 (2019), (영향 요인 1.579).
49. 원격 유전체 장벽 방전에 의한 대기 압력 혈장 대기 면적 유리 기판의 표면 세척, D.-J. Kim and J. 슬롯 커뮤니티,플라즈마 res. 표현하다1, 015015 (2019).
50. TIO의 기계적 및 재물학적 특성에 대한 슬롯 커뮤니티 구조의 효과₂Nanotubes, Y. Yoonand J. 슬롯 커뮤니티,Nanotechnology29, 165705 (2018), (영향 계수 3.399).
51. 원격 유전체 장벽 방전이있는 유연한 전자 장치를위한 그래 핀 패터닝, Duk-Jae Kim,슬롯 커뮤니티,Jeon-Gun Han,일본. Appl.55, 085102 (2016), (영향 요인 : 1.471).
52. 저온 공동 유전체 장벽 방전에 의한 유기 휘발성 분해 및 박테리아 멸균의 시연, D.-J. 김, Y.-K.슬롯 커뮤니티,H.-j. Kim, J.-G.일본. Appl.55 (4), 040302 (2016), (영향 요인 1.471).
53. 금속 슬롯 커뮤니티 카본 접촉, Patrick Wilhite, Anshul A. Vyas, Jason Tan, Jasper Tan, Toshishige Yamada, Phillip Wang, Jeongwon 슬롯 커뮤니티 및 Cary Y. Yang,Sci. 그리고 기술.29, 054006, 1-16 (2014) : 저널 편집위원회에서 2014 년의 하이라이트로 선정되었습니다.
54. 테이퍼 가장자리 바닥에있는 이동성 포화 구리 프탈로시아닌 박막 트랜지스터, E. Royer, J. 슬롯 커뮤니티,c. Colesniuc, J. S. Lee, T. Gredig, S. Jin, I. K. Schuller, W.C. Trogler, A.C. Kummel,j. 진공28, C5F22 (2010).
55. 구리 프탈로시아닌 박막 트랜지스터 채널에서 앰비언트 유도 분해 및 화학적으로 활성화 된 회복, 슬롯 커뮤니티, j. E. Royer, C. Colesniuc, F. I. Bohrer, A. Sharoni, S. Jin, I. K.Schuller, W.C. Trogler, A. C. Kummel,j. 응용. 106, 034505 (2009).
56. Colbalt의 비교 가스 감지, 니켈, 구리, 아연 및 금속 프리 프탈로시아닌 화학 화학 저항, F. I. Bohrer, C. N. Colesniuc, 슬롯 커뮤니티, M. E. Ruidiaz, I. K. Schuller, A. C. Kummel, W.C. Trogler,j. 오전., 131(2), 478-85 (2009).
57. N- 및 P 채널 구리 프탈로시아닌 박막 트랜지스터에 대한 분석 물 화학 흡착 및 감지, D. Yang, J. 슬롯 커뮤니티, C. N. Colesniuc, I. K. Schuller, J. E. Royer, W.C. Trogler 및 A.C. Kummel,j. 화학130 164703 (2009).
58. 건조 산화에 의한 주기적으로 패턴 화 된 Si 슬롯 커뮤니티 템플릿의 기하학적 형질 전환, J. 슬롯 커뮤니티, L.-H. Chen, D. Hong, C. Choi, M. Loya, K. Brammer, P. Bandaru 및 S. Jin,Nanotechnology20, 015303 (2009).
59. 집중된 이온 빔을 통한 탄소 슬롯 커뮤니티 튜브의 형태 제어, Loya, J. 슬롯 커뮤니티, L. H. Chen, K. S. Brammer, P. R. Bandaru 및 S. Jin,슬롯 커뮤니티. 3, 449–454 (2008).
60. 초박형 유기 트랜지스터에서 향상된 접촉 전극 구성을위한 이중층 처리, J. 슬롯 커뮤니티, R. D. Yang, C. N. Colesniuc, A. Sharoni, S. Jin, I. K. Schuller, W.C. Trogler 및 A.C. Kummel,Appl. 물리92, 193311 (2008).
61. Phthalocyanine Chemireesistors와의 증기 상 수소 과산화수소의 선택적 검출, F. I. Bohrer, C.N. Colesniuc, J. 슬롯 커뮤니티, I. K. Schuller, A.C. Kummel 및 W.C. Trogler,j. 오전.., 130 (12), 3712 -3713, (2008).
62. 펄스 게이팅에 의한 유기 박막 트랜지스터 화학 센서의 초저 드리프트, R. Yang, J. 슬롯 커뮤니티,c. N. Colesniuc, I. K. Schuller, W.C. Trogler 및 A.C. Kummel,j. 응용. 102, 034515 (2007).
63. 화학 감지를위한 초박형 유기 트랜지스터, R. D. Yang, T. Gredig, C. N. Colesniuc, J. 슬롯 커뮤니티, I. K. Schuller, W.C. Trogler 및 A.C. Kummel,Appl. 물리. 90, 263506 (2007), Nanoscale Science & Technology의 가상 저널에도 받아 들여졌습니다. (2007).
64. 화학 코발트 및 금속 프리 프탈로시아닌 박막의 가스 감지 메커니즘, F. I. Bohrer, Sharoni, C. Colesniuc, J. 슬롯 커뮤니티, I. K. Schuller, A. C. Kummel 및 W.C. Trogler,j. 오전., 129 (17), 5640 -5646 (2007).
65. Zno Nanowire UV 포토 디스티터가 높은 내부 게인, C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. 슬롯 커뮤니티, X. Y. Bao, Y. H. Lo 및 D. Wang,Nano Lett., 7 (4), 1003 -1009 (2007).
66. 공동 및 MN- 이온 임플란트 실리콘의 향상된 실내 온도 강자성, P.R. Bandaru, J. 슬롯 커뮤니티, J.S. Lee, Y.J. Tang, L. H. Chen, S. Jin, S.A. Song 및 J. O'Brien,Appl. 물리. 89, 112502 (2006).
67. 금속 y- 정밀 탄소 나노 튜브 트랜지스터의 3 방향 슬롯 커뮤니티 게이팅 특성, J. 슬롯 커뮤니티, C. Daraio, S. Jin, P.R. Bandaru, J. Gaillard 및 A. M. Rao,Appl. 물리. 88, 243113 (2006).
68. 분산 충전 전송을 기반으로 한 임피던스 센서를 사용한 화학 식별, D. Yang, B. Fruhberger, J. 슬롯 커뮤니티, A.C. Kummel,Appl. 물리88, 074104 (2006).
69. 공간 전하 제한 전도도 체제에서 코발트 프탈로시아닌에 대한 전극 독립 화학 반응, A. Miller, R. D. Yang, M. J. Hale, J. 슬롯 커뮤니티, B. Fruhberger, I. K. Schuller, A.C. Kummel, William C. Trogler,j. 물리; 110(1) 361 - 366 (2006).
70. PACVD에 의한 주석 코팅으로 수술 도구의 생체 적합성 및 기계적 특성 개선, J. 슬롯 커뮤니티, D.-J. 김, Y.-K.얇은 고체 필름, 435, 102-107 (2003).
71. 낮은 유전체 불소화 된 비정질 탄소 필름의 특성에 대한 불소의 효과, S.-H. 양, S. 리, J. 파크, J.-Y. 김과 J.--
72. 매우 대규모 대규모 통합 다중 레벨 인터커넥트를위한 저 유산 형광 비정질 탄소 필름에 대한 증착 온도의 효과, S.-H. 양, J. 파크, J.-Y. 김, Y.-K.미세 화학 저널, 63 (1), 161-167 (1999).
73. 저 유전 형광 화 탄소 박막의 특성에 대한 증착 온도의 효과, J. 슬롯 커뮤니티, S.-H. 양과 J.--Korean J. Material Research, 9 (12), 1211- 1215 (1999)
74. 저 유전 상수 ILD로 사용하기위한 A-C : F 박막의 특성에 대한 증착 가스 조성의 효과, J. 슬롯 커뮤니티, S.-H. Yang, S. Lee, S. Sohn, K. OH 및 J.-W.j. 한국 진공 학회, 7 (4), 368-373 (1998).
75. 플루오린-도핑 된 이산화탄소의 플라즈마 후 처리에 의한 Cu/WN/SIOF/SI 다층의 열 안정성 향상, S. Lee, D. J. Kim, S.-H. 양, J. 파크, s. Shon, K. Oh, Y.-T.j. 응용, 85, 473-477 (1998).

특허 / 기술 공개 :

1. j. Griffith, J. 슬롯 커뮤니티, P. Narwankar, N. Nguyen, H. Nguyen, T. Chan, J. Xu, 원자 수소로 기판 표면을 세척하는 방법 및기구, CN104025264A, US20130160794, WO2013096748 A1, US201503111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111까지까지 (
2. j. 슬롯 커뮤니티, J. Griffith, P. Narwankar, M. Narasimhan, B. Zheng, 원자 수소로 기판 구조를 세척하기위한 방법 및 장치, WO 2014100047 A1 (2014)..
3. j. 슬롯 커뮤니티, J. Cruz, P. Narwankar, 원자 수소가있는 기질에서 포토리스트를 제거하는 방법, WO 2014164493 A1 (2014)..
4. j. 슬롯 커뮤니티, J. Cruz, P. Narwankar, 게르마늄 함유 재료, III-V 화합물 함유 물질 또는 핫 와이어 소스를 사용하여 기판에 배치 된 재료를 포함하는 II-VI 화합물을 가공하는 방법 및 장치, 미국 20140179110 (2014)..
5. s. Chatterjee, J. 슬롯 커뮤니티, 핫 와이어 화학 증기 증착 (HWCVD) 챔버, 미국 20120312326 A1 (2011).를 사용하여 기판 표면을 청소하는 방법
6. a. Kummel, J. 슬롯 커뮤니티, 유기 TFT 접촉 및 동일하게 형성된 연락처를 형성하는 다중 속도 저항 방법, US20110108815 (2009).

회의 절차 :

1. 고효율 멀티 퀀텀 웰 블루는 2D-SIC를 활성 자료로 사용하여 2021 년 전기 슬롯 커뮤니티 및 정보 통신 기술에 관한 5 차 국제 회의 (MISL), Dhaka-1216, Dhaka-1216, Dhaka-1216,.
2. 단일 종료 된 계산 SRAM 비트 세포, 국제 신호, 회로 및 시스템에 관한 국제 심포지엄 (ISSCS 2019), 2019 년 7 월 11 일부터 2019 년 7 월 12 일, IASI, 루마니아.
3. (초대) 유연한 전자 장치, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Changjian Zhou, Cary Y. Yang, 2018 International Flexible Electronics Technology Conference (IFETC), 2018 년 8 월 7 일부터 9 일까지 오타와에서 나노 카본 구조와 접촉
4. (초대) 유연한 전자 장치, Jeongwon 슬롯 커뮤니티, Changjian Zhou, Cary Y. Yang, IEEE 국제 전자 장치 및 솔리드 스테이트 회로를위한 탄소 기반 나노 구조 2018 년 6 월 6 일부터 6 월 8 일, 2018 년 6 월 8 일, 중국 Shenzhen.
5. "(초대) 현장 내 원자 수소 청소를 갖는 고 이동성 채널 재료를위한 깨끗한 표면에 대한 새로운 접근법", 슬롯 커뮤니티, Joe Griffith, Bo Zheng, Jerry Gelatos, Murali Narasimhan, Pravin K Narwankar, ECS Transactions, 58 (6) 275-280 (2013).
6. Interconnects, P. Wilhite, A. Vyas, J. Tan 및 C. Y. Yang, P. Wang, 슬롯 커뮤니티, H. AI 및 M. Narasimhan, ICQNM 2013 : Quantum, Nano 및 Micro Technologies (2013).
7. SI (001) 기판, 슬롯 커뮤니티, M. Ishii, R. Balasubramanian, Y. Kim 및 S. Kurpprao의 중요한 두께를 넘어 SIGE 필름에 대한 균주 이완에 대한 성장 및 표면 세정 조건의 영향. ECS 거래, 33 (6) 523-528 (2010).
8. 탄소 나노 튜브의 전기 수송 -Nanoscale, 슬롯 커뮤니티, C. Daraio, A. Rao, P. Bandaru, Mater에서의 새로운 기능을위한 패러다임. 해안

책 장 :

1. Nanocarbon Electronics, ISBN : 9781003043089, 6 장. Changjian Zhou, Min Zhang 및 Cary Y. Yang Jenny Stanford Publishing (2020).

코스 가르침

2016- 가을 2019

학부 슬롯 커뮤니티 수업

• ELG 2138 회로 이론 I (2016 년 가을, 2017 년 가을, 2018 가을)
• ELG 2137 Circuit Theory II (Winter 2017, Winter 2018)
• ELG 3137 반도체 장치의 기본 사항 (Winter 2019)

대학원 슬롯 커뮤니티 수업

• ELG 7132 NanoElectronics (Winter 2018, Winter 2019)

봄 2009- 봄 2016

학부 슬롯 커뮤니티 수업

• 슬롯 커뮤니티 회로 I (Winter 2016)
• 2009 년 봄 봄에 슬롯 커뮤니티 기술 소개 (게스트 강사)
• 2009 년 가을의 슬롯 커뮤니티 스케일 과학 기술 (게스트 강사)

대학원 슬롯 커뮤니티 수업

• NanoElectronics (2011 년 가을, 2014 년 봄)
• Nanomaterials (2011 년 겨울, 2012 년 겨울, 2014 년 봄, 2016)
• 반도체 물리학의 기초 (2009 년 여름, 2009 년 가을 및 겨울 2010)